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元件参数资料
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参数目录33642
> IMX8-7-F TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
型号:
IMX8-7-F
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
IMX8-7-F PDF
产品目录绘图
SOT-26 Package Top
SOT-26 Package Side 1
SOT-26 Package Side 2
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
120V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
180 @ 2mA,6V
功率 - 最大
300mW
频率 - 转换
140MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6
供应商设备封装
SOT-26
包装
标准包装
产品目录页面
1575 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IMX8-FDIDKR
查看IMX8-7-F代理商
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